GAA 作為 FinFET 的改進而出現。
韓國智財權局（KIPO）於 7 月 18 日宣佈，
近來與下世代半導體製程技術 GAA（gate-all-around）技術相關的專利數量，
正在快速增加。
在半導體行業，
GAA 被認為是對 FinFET 改進的全環柵技術。
兩者的區別在 FinFET 在三個表面上有電流通道，
而 GAA 在四個表面上有電流通道。
FinFET 相關專利數量在 2017 年達到 1，
936 件，
去年（2020）下降到 1，
508，
而在此期間，
GAA 相關專利數量從 173 件增加到 381 件。
目前，
臺積電佔 GAA 相關專利申請的 31.4%，
其次是三星電子（20.6%）、IBM（10.2%）和 GlobalFoundries（5.5%）。
臺積電和三星電子之間的競爭可能會繼續升溫。
三星電子計劃從明年（2022）開始將 GAA 應用於其 3 奈米製程。
臺積電方面，
計畫預計 2023 年開始從 2 奈米採用 GAA 技術。
然而，
良率可能還是問題關鍵。
根據韓媒報導（2021.7.4），
三星電子在華城園區廠最先進的 V1 線，
仍存在良率難解問題，
5 奈米產品的良率仍低於 50%。
這可能與日本化學輔料有關，
由於日本對韓國實施半導體三項關鍵原料管制，
造成三星在先進奈米製程的良率無法提升。
對於半導體大廠而言，
製程是技術，
但良率才是其中的關鍵，
初期能將良率維持在八成左右已是非常困難的事情，
而臺積電的製程良率可以達到九成五以上，
可見臺灣在先進製程技術水準在三星之上，
而且良率高也代表創造獲利及現金流。
