對于晶片代工廠商來說， 光刻機是不可或缺的。 全球缺芯問題的加重， 大資料資訊化時代的到來， 人們對半導體晶片不斷提高的需求量與晶片產能供不應求之間的矛盾， 間接地抬高了光刻機的地位。 特別是作用于7納米及7納米以下晶片代工制程的EUV光刻機。
因擔心大陸半導體廠商發展太快， 衝擊到美國半導體在全球市場中的地位。 美國半導體對晶片及半導體設備市場規則進行不公平修訂。 要求包含美國技術的高端設備， 禁止出口到大陸供大陸廠商使用。
由于EUV光刻機制程複雜， 且國產光刻機廠商起步較晚， 因此美國的該條規定， 阻礙了我國半導體廠商的發展。 不過事情還沒完， 2021年11月20日消息， 美國發佈新規， 規定EUV光刻機不能出現在大陸工廠中。
要知道， 早先美國半導體只是要求ASML不得將EUV光刻機出口給我國， 並沒有對其它擁有EUV光刻機的廠商進行限制。
但如今EUV光刻機連出現在大陸工廠中都不行了。 要知道， 三星、SK海力士等國外晶片巨頭在我國投建的晶片代工廠，
答：促進自家半導體供給鏈技術的回流， 阻礙國產半導體與國外廠商之間的交流、合作。 拿蘋果公司和特斯拉來我國建廠舉例， 儘管國外來我國建廠的主要目的是盈利， 但一定程度上也能推動我國半導體產業鏈的發展。 通過借鑒國外先進的管理、生產模式， 改善國內生產鏈。 有益于國產半導體產業的更快發展。
另外， 國外來華建廠， 一定程度上加重了國外對我國市場、供給鏈技術的依賴性。 蘋果、特斯拉、三星等國外晶片巨頭便是一個很好的例子。 但「近水樓臺先得月」， 對于這些外企來說， 在我國建廠， 也能夠提高自身在我國市場中的影響力。 美國擔心三星、SK海力士後續會將建廠重心放在大陸市場。 因此通過禁止EUV光刻機進入大陸境內的方式， 來阻止三星、SK海力士的建廠規劃。
要知道， 美國為了吸引國外廠商來自家建廠， 不惜拿出520億美元用來補貼、鼓勵晶片廠商來美國建廠。 因為美國知道， 論勞動力和供應鏈技術， 以及市場環境， 美國是比不過大陸的。 因此， 為了防止國外廠商來我國投建先進的工廠， 美國下令EUV光刻機不得出現在大陸市場。
正如近期美國否決的英特爾在四川成都投建記憶體晶片代工廠一樣。 為了進一步阻礙我國半導體行業的發展，美國出此策略。美國頒佈新規，也表明了美國對于EUV光刻機的態度，即堅決不允許大陸廠商使用EUV光刻機。
因此，我們要想在半導體領域中有更好的發展，趁早打消對國外光刻機的幻想，腳踏實地，埋頭耕耘光刻機核心技術，才是正確的方向。得益于國家對半導體行業的扶持、引導，眼下我們在光刻機領域中獲得了許多不錯的成績。
例如長春光機所成功攻堅光刻機光學物鏡，完成了國產光刻機的最後一塊拼圖。此前長春光機所和上海光機所成功攻破EUV光源壁壘，推出了與ASML處于同一技術范疇的EUV光源。再加上華卓精科的雙工件臺技術，以及上海微電子步入投產的28納米光刻機。相信日後國產半導體廠商一定能夠攻堅光刻機核心技術壁壘。儘管時間可能會很長，但絕對值得。
對于美國半導體要求EUV光刻機不得出現在大陸市場這件事情，大夥有什麼想說的呢？結合國產廠商在光刻機領域中的突破，你認為我們還需要多久，才能夠實現高精尖晶片自給自足的目標呢？
為了進一步阻礙我國半導體行業的發展，美國出此策略。美國頒佈新規，也表明了美國對于EUV光刻機的態度，即堅決不允許大陸廠商使用EUV光刻機。
因此，我們要想在半導體領域中有更好的發展，趁早打消對國外光刻機的幻想，腳踏實地，埋頭耕耘光刻機核心技術，才是正確的方向。得益于國家對半導體行業的扶持、引導，眼下我們在光刻機領域中獲得了許多不錯的成績。
例如長春光機所成功攻堅光刻機光學物鏡，完成了國產光刻機的最後一塊拼圖。此前長春光機所和上海光機所成功攻破EUV光源壁壘，推出了與ASML處于同一技術范疇的EUV光源。再加上華卓精科的雙工件臺技術，以及上海微電子步入投產的28納米光刻機。相信日後國產半導體廠商一定能夠攻堅光刻機核心技術壁壘。儘管時間可能會很長，但絕對值得。
對于美國半導體要求EUV光刻機不得出現在大陸市場這件事情，大夥有什麼想說的呢？結合國產廠商在光刻機領域中的突破，你認為我們還需要多久，才能夠實現高精尖晶片自給自足的目標呢？