限制加碼，美國再次出手，網友：自研手機芯片會受影響嗎？

前不久美國的芯片法案落地了， 該法案表面上說是為了促進美國半導體等行業的發展， 保證美國芯片供應鏈的安全， 實際上是為了打壓中國半導體行業發展， 因為在芯片法案中， 其明確提出， 獲得美國補貼的企業， 未來10年不可以在中國內地建設或者擴建先進半導體工廠。

而沒過幾天， 又傳出了美國斷供EDA的消息， 然后去看了下相關內容， 除了設計GAAFET結構集成電路所須的EDA/ECAD軟件， 還有氧化鎵和金剛石為代表的超寬禁帶半導體材料， 以及燃氣渦輪發動機使用的壓力增益燃燒等技術實施新的出口管制。

相關管制中， 涉及半導體產業的有EDA/ECDA軟件和超寬禁帶半導體材料， 其中GAAFET晶體管技術比目前的FinFET技術更先進， FinFET技術最多可以3nm芯片， 而GAAFET可以實現2nm芯片的制作。

可以看到， 美國這次的EDA/ECDA軟件禁令， 將限制中國芯片設計廠商設計3nm及以下制程的芯片， 而氧化鎵和金剛石則是被普遍關注的第四代半導體材料，

所以美國這次是未雨綢繆， 對下一代半導體技術進行了封鎖。

結合美國之前的各種操作來看， 美國的策略很簡單， 那就是只要是中國沒有突破的地方， 那就進行全力的封鎖， 前不久才封鎖14nm相關設備和技術， 這次直接對下一代半導體技術進行限制， 不僅僅涉及芯片制造， 對芯片設計也開始下手了。

如果國內公司不能使用GAAFET結構的EDA軟件， 那就意味著如果我們想要設計3nm以下工藝的芯片將會受到阻礙， 這對于手機等需要最先進工藝的行業無疑會帶來負面的影響， 目前國產手機品牌在推進自研芯片計劃， 后續它們的SOC芯片肯定要用最先進的工藝。

目前臺積電的4nm工藝， 以及后續的3nm工藝都是FinFET技術， 但是到了2nm的時候就會采用GAAFET結構了， 而三星的3nm工藝就已經開始采用GAAFET結構了， 如果后續國產手機品牌推出了自研芯片， 想要使用臺積電2nm或者三星3nm工藝就會受限， 到時候自研手機芯片無疑要受影響。

那麼到時候蘋果， 高通等廠家可以使用更先進的工藝，

而國產手機廠商好不容易做出了不錯的自研處理器， 結果因為EDA軟件的緣故而無緣最先進的工藝， 豈不是又要重蹈華為麒麟芯片的覆轍？最終又只能老老實實買高通等廠家的芯片， 擺脫不了被高通影響的命運。

從臺積電給的時間表來看，

N2將于2025年量產， 也就是3年左右的時間了， 所以留給國內突破相關的時間并不多， 當然也有網友表示， 只要國產手機品牌的自研處理器成功了， 估計美國就會進行打壓， 直接不讓臺積電， 三星這些掌握先進半導體工藝的公司給代工就行了。

總的來說， EDA號稱芯片之母， 沒有她芯片設計就玩不轉， 不得不說美國這招真狠， 讓你到時候無法設計最先進工藝的芯片， 雖然目前國內已經有了相應的替代技術和產品， 但是和海外的差距還比較大， 所以不能掉以輕心。

不過就像網友說的那樣， 面對打壓， 怨天尤人沒有用， 唯有放棄幻想， 自力更生才行， 打壓只會加速國產替代。