2021年9月2日， 荷蘭 ASML公司最新消息：新一代極紫外光刻機元件已經基本製造完畢， 並將在2021年底運往荷蘭維荷芬， 2022年初將部件裝入到荷蘭維荷芬， 新一代極紫外光刻機元件已基本製造完畢。 該設備暫時投入生產為2023年。
ASML公司曝光的新一代EUV光刻機NEX：5000， 給人最直觀的印象是「貴」、「大」。 單是這臺設備的造價， 便達到了1.5億美元， 折合人民幣約為9.7億元， 都快要趕上ASML一代EUV光刻機的售價。 補充一點：ASML一代EUV光刻機的售價為10億元人民幣。
除了貴， NEX：5000另一個特點是「大」。 據悉， NEX：5000的大小可以媲美一輛長為12米的公交巴士。 NEX：5000包含11~12萬個部件和2公里長的電纜， 是一個名副其實的大傢伙。
NEX：5000的性能如何呢？在此之前， 我們要知道決定光刻機設備技術水準高低的根本因素是什麼？我們知道， EUV光刻機是通過發射極紫外線， 經過鏡面折射來對矽晶圓進行曝光生產。 拋去雙工件臺、EUV光學鏡頭這種物理性設備參數。
這樣說可能有些空洞。 拿深紫外光刻機舉例， 深紫外光刻機的波長為254納米， 合理制程在193納米到10納米之間。
對于NXE：5000的性能， ASML公司表示：對比一代EUV光刻機， NXE：5000的波長更短， 效率更強， 精度更高。 通過多次曝光、印章， 矽晶圓晶片電路描摹精度可達0.3納米甚至皮米的精度。 喬治城大學晶片製造研究院分析師威爾·亨特表示：NXE：5000將會推動摩爾定律繼續向前發展。
但有一點， NXE：5000的售價， 將會勸退不少的晶片代工廠商， 畢竟成本價都快趕上一代EUV光刻機的售價。 如此昂貴的設備， 其製備出來的晶片， 想必報價也會更高。 即便忽略價格因素， 裝載2公里長電纜的NXE：5000耗電量、耗水量將會「更上一層樓」。 拿臺積電舉例， 單是十幾臺EUV光刻機， 便讓臺積電十分頭疼。
換句話說， 論技術， NXE：5000極紫外光刻機算得上是一臺具有跨時代意義的設備。 但對NXE：5000， 商家批量購買、ASML大規模生產的可能性不大， 因為價格、製造難度和成本擺在那裡。 未來NXE：5000的市場將會是ASML能否實現營收連跳的首要難題。
雖說不想承認， 但也要認清現實。 新一代ASML極紫外光刻機的出現， 將會進一步拉大中國與國外之間的矽基半導體技術差距。 特別是晶片代工牽扯到的晶片設計、PC端、智慧手機業務。 需要注意， 這裡所說的是矽基半導體領域。 目前我們在晶片化合物材料中的造詣還是很高的。 例如中科院的石墨烯， 雲南大學的硫化鉑等。
況且隨著新一代EUV光刻機的誕生，矽晶片的內置規格幾乎被掏空。未來矽基晶片能夠繼續成為半導體晶片的發展主流，也是一個問題。
雲南大學的硫化鉑等。況且隨著新一代EUV光刻機的誕生，矽晶片的內置規格幾乎被掏空。未來矽基晶片能夠繼續成為半導體晶片的發展主流，也是一個問題。