ASML研發新一代光刻機，達到0.3nm，製造價格在9.7億元，再一次驚豔到了世界
2021年9月2日，荷蘭 ASML公司最新消息：新一代極紫外光刻機元件已經基本製造完畢，並將在2021年底運往荷蘭維荷芬，2022年初將部件裝入到荷蘭維荷芬，新一代極紫外光刻機元件已基本製造完畢。該設備暫時投入生產為2023年。
ASML公司曝光的新一代EUV光刻機NEX：5000，給人最直觀的印象是「貴」、「大」。單是這臺設備的造價，便達到了1.5億美元，折合人民幣約為9.7億元，都快要趕上ASML一代EUV光刻機的售價。補充一點：ASML一代EUV光刻機的售價為10億元人民幣。
除了貴，NEX：5000另一個特點是「大」。據悉，NEX：5000的大小可以媲美一輛長為12米的公交巴士。NEX：5000包含11~12萬個部件和2公里長的電纜，是一個名副其實的大傢伙。
NEX：5000的性能如何呢？在此之前，我們要知道決定光刻機設備技術水準高低的根本因素是什麼？我們知道，EUV光刻機是通過發射極紫外線，經過鏡面折射來對矽晶圓進行曝光生產。拋去雙工件臺、EUV光學鏡頭這種物理性設備參數。
這樣說可能有些空洞。拿深紫外光刻機舉例，深紫外光刻機的波長為254納米，合理制程在193納米到10納米之間。
對于NXE：5000的性能，ASML公司表示：對比一代EUV光刻機，NXE：5000的波長更短，效率更強，精度更高。通過多次曝光、印章，矽晶圓晶片電路描摹精度可達0.3納米甚至皮米的精度。喬治城大學晶片製造研究院分析師威爾·亨特表示：NXE：5000將會推動摩爾定律繼續向前發展。
但有一點，NXE：5000的售價，將會勸退不少的晶片代工廠商，畢竟成本價都快趕上一代EUV光刻機的售價。如此昂貴的設備，其製備出來的晶片，想必報價也會更高。即便忽略價格因素，裝載2公里長電纜的NXE：5000耗電量、耗水量將會「更上一層樓」。拿臺積電舉例，單是十幾臺EUV光刻機，便讓臺積電十分頭疼。
換句話說，論技術，NXE：5000極紫外光刻機算得上是一臺具有跨時代意義的設備。但對NXE：5000，商家批量購買、ASML大規模生產的可能性不大，因為價格、製造難度和成本擺在那裡。未來NXE：5000的市場將會是ASML能否實現營收連跳的首要難題。
雖說不想承認，但也要認清現實。新一代ASML極紫外光刻機的出現，將會進一步拉大中國與國外之間的矽基半導體技術差距。特別是晶片代工牽扯到的晶片設計、PC端、智慧手機業務。需要注意，這裡所說的是矽基半導體領域。目前我們在晶片化合物材料中的造詣還是很高的。例如中科院的石墨烯，
況且隨著新一代EUV光刻機的誕生，矽晶片的內置規格幾乎被掏空。未來矽基晶片能夠繼續成為半導體晶片的發展主流，也是一個問題。